三星宣布量產1TB UFS 2.1閃存芯片:存取速度提到1GB/s-愛新聞

三星宣布量產1TB UFS 2.1閃存芯片:存取速度提到1GB/s

天字一號閃存企業三星電子今天(1月30日)宣布開始量產單芯片1TB容量的UFS存儲產品,主力用於智能手機。

2017年11月,三星宣布量產單芯片容量512GB的eUFS閃存,去年,三星Galaxy Note 9就用上它。不過,由於S10系列2月20日就要發布了,從時間上判斷,應該來不及用上剛出爐的1TB UFS,可能會選擇和堅果R1類似的方式、即使用兩片512GB。

三星計算後表示,1TB可存儲260段10分鐘長度的4K分辨率短視頻,而64GB只能存儲13段。

規格方面,芯片封裝大小為11.5mm x 13mm,內部有16顆512Gb V-NAND(第五代)堆棧組成。

三星宣布量產1TB UFS 2.1閃存芯片:存取速度提到1GB/s

性能方面,支持UFS 2.1規範,連續讀取速度最高1000MB/s、連續寫入最高260MB/s、隨機讀取速度為58K IOPS、隨機寫入為50K IOPS。三星稱,隨機速度的提升有助於手機相機表現,比如拍攝960幀慢動作視頻。

三星表示,將在位於Pyeongtaek(平澤市)的工廠加大512GB eUFS閃存芯片的產能,以滿足2019年上半年市場的強烈需求。看來,三星Galaxy以及不少旗艦將開始大力推廣512GB甚至1TB的機身存儲容量了。

三星宣布量產1TB UFS 2.1閃存芯片:存取速度提到1GB/s

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