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英飛凌宣布收購Siltectra 專利技術可將材料損耗降到最低

英飛凌宣布收購Siltectra 專利技術可將材料損耗降到最低

Siltectra 成立於 2010 年,一直發展並擁有 50 多項專利知識產權組合。英飛凌 CEO Reinhard Ploss 博士表示:

此次收購有助於我們利用 SiC 新材料,並拓展我司優秀的產品組合。我們對薄晶圓技術的系統理解和獨特的專業知識,將與 Siltectra 的創新能力和冷切割技術相輔相成。

與普通鋸切割技術相比,Siltectra 開發出了一種分解晶體材料的新技術,能夠將材料損耗降到技術。

該技術同樣適用於碳化硅(SiC),並將在其現有的德累斯頓工廠、以及英飛凌(奧地利)菲拉赫工廠實現工業化生產。

作為唯一一家量產 300mm 硅薄晶圓的企業,英飛凌能夠很好地將薄晶圓技術應用於 SiC 產品。預計未來五年內,英飛凌可實現向批量生產的轉進。

隨著時間的推移,冷切技術有望得到更廣泛的應用,比如晶錠分割、或用於 SiC 之外的材料。

[編譯自:Electronics Weekly]

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